توسعه ترانزیستورها بدون عناصر نیمه رسانا
توسعه ترانزیستورها بدون عناصر نیمه رسانا
علیرضا برادران - جمعه ۷ تير ۱۳۹۲ - ۱۶:۱۵
به نظر می رسد ساکنان «دره سیلیکون» کم کم باید به فکر تغییر نام خود باشند چراکه طبق آخرین یافته های علمی چیزی تا رسیدن به نهایت ظرفیت نیمه رساناها نمانده و دانشمندان در صدد جایگزین کردن آن با عناصر دیگرند. دهه هاست که قطعات الکترونیک در حال کوچکتر شدن هستند و امروزه می توان میلیون ها ترانزیستور روی یک تراشه سیلیکونی جای داد.
اما ترانزیستورهای ساخته شده از عناصر نیمه رسانا با روند توسعه جاری نهایتاً ۱۰ تا ۲۰ سال دیگر امکان کوچکتر شدن دارند و این عیب را هم اضافه کنید که اتلاف انرژی به صورت گرما در این عناصر زیاد است. دانشمندان تا کنون عناصر مختلفی را امتحان کرده اند ولی در نهایت به نیمه رساناها بازگشته اند. اما یک گروه تحقیقاتی پا را فراتر گذاشته و با استفاده ازعنصر طلا و چند عنصر دیگر به نتایج موفقیت آمیزی در این زمینه دست یافته اند.
البته یک مورد مهم در این بازده و بهره وری ترانزیستور فراوانی عناصر مورد استفاده است. پر واضح است که طلا عنصر نایاب و گرانی است که جانشینی آن بر مسند قطعات الکترونیک را با سوال مواجه می کند. اما مهمترین قضیه در این تحقیق این است که سد شکست ناپذیری نیمه رساناها شکسته شده و حتماً موسسات تحقیقاتی بیشتری را به پژوهش در این زمینه سوق خواهد داد تا نتیجه مطلوب حاصل شود.
آنچه مسلم است لزوم یافتن جایگزین برای نیمه رساناهاست و به نظر می رسد فرصت کافی برای تحقق این هدف وجود دارد. این حوزه از جمله حوزه های نوپا در دانش الکترونیک است و از آنجایی که با نانوفناوری پیوندی عمیق دارد و کشور ما نیز در این زمینه به پیشرفت هایی دست یافته است، خوب است که موسسات تحقیقاتی و دانشگاه های کشور ما نیز نیم نگاهی به این قضیه داشته باشند.
دوست عزیز، به سایت علمی نخبگان جوان خوش آمدید
مشاهده این پیام به این معنی است که شما در سایت عضو نیستید، لطفا در صورت تمایل جهت عضویت در سایت علمی نخبگان جوان اینجا کلیک کنید.
توجه داشته باشید، در صورتی که عضو سایت نباشید نمی توانید از تمامی امکانات و خدمات سایت استفاده کنید.
پاسخ با نقل قول
علاقه مندی ها (Bookmarks)