دوست عزیز، به سایت علمی نخبگان جوان خوش آمدید

مشاهده این پیام به این معنی است که شما در سایت عضو نیستید، لطفا در صورت تمایل جهت عضویت در سایت علمی نخبگان جوان اینجا کلیک کنید.

توجه داشته باشید، در صورتی که عضو سایت نباشید نمی توانید از تمامی امکانات و خدمات سایت استفاده کنید.
نمایش نتایج: از شماره 1 تا 2 , از مجموع 2

موضوع: توسعه ترانزیستورها بدون عناصر نیمه رسانا

  1. #1
    دوست آشنا
    رشته تحصیلی
    معماری
    نوشته ها
    425
    ارسال تشکر
    324
    دریافت تشکر: 911
    قدرت امتیاز دهی
    991
    Array

    پیش فرض توسعه ترانزیستورها بدون عناصر نیمه رسانا



    توسعه ترانزیستورها بدون عناصر نیمه رسانا

    علیرضا برادران - جمعه ۷ تير ۱۳۹۲ - ۱۶:۱۵
    به نظر می رسد ساکنان «دره سیلیکون» کم کم باید به فکر تغییر نام خود باشند چراکه طبق آخرین یافته های علمی چیزی تا رسیدن به نهایت ظرفیت نیمه رساناها نمانده و دانشمندان در صدد جایگزین کردن آن با عناصر دیگرند. دهه هاست که قطعات الکترونیک در حال کوچکتر شدن هستند و امروزه می توان میلیون ها ترانزیستور روی یک تراشه سیلیکونی جای داد.

    اما ترانزیستورهای ساخته شده از عناصر نیمه رسانا با روند توسعه جاری نهایتاً ۱۰ تا ۲۰ سال دیگر امکان کوچکتر شدن دارند و این عیب را هم اضافه کنید که اتلاف انرژی به صورت گرما در این عناصر زیاد است. دانشمندان تا کنون عناصر مختلفی را امتحان کرده اند ولی در نهایت به نیمه رساناها بازگشته اند. اما یک گروه تحقیقاتی پا را فراتر گذاشته و با استفاده ازعنصر طلا و چند عنصر دیگر به نتایج موفقیت آمیزی در این زمینه دست یافته اند.

    البته یک مورد مهم در این بازده و بهره وری ترانزیستور فراوانی عناصر مورد استفاده است. پر واضح است که طلا عنصر نایاب و گرانی است که جانشینی آن بر مسند قطعات الکترونیک را با سوال مواجه می کند. اما مهمترین قضیه در این تحقیق این است که سد شکست ناپذیری نیمه رساناها شکسته شده و حتماً موسسات تحقیقاتی بیشتری را به پژوهش در این زمینه سوق خواهد داد تا نتیجه مطلوب حاصل شود.

    آنچه مسلم است لزوم یافتن جایگزین برای نیمه رساناهاست و به نظر می رسد فرصت کافی برای تحقق این هدف وجود دارد. این حوزه از جمله حوزه های نوپا در دانش الکترونیک است و از آنجایی که با نانوفناوری پیوندی عمیق دارد و کشور ما نیز در این زمینه به پیشرفت هایی دست یافته است، خوب است که موسسات تحقیقاتی و دانشگاه های کشور ما نیز نیم نگاهی به این قضیه داشته باشند.
    اگر تنها ترین تنهایان هم شوم بازم هم خدایی هست.

  2. 4 کاربر از پست مفید .مخفی. سپاس کرده اند .


  3. #2
    استعداد برتر سایت
    رشته تحصیلی
    فیزیک و برق
    نوشته ها
    38
    ارسال تشکر
    66
    دریافت تشکر: 162
    قدرت امتیاز دهی
    48
    Array

    پیش فرض پاسخ : توسعه ترانزیستورها بدون عناصر نیمه رسانا

    استادمون می گفت تازه گی به جای نیمه رسانا ها یک لایه کربن (گرافیت) به شکل 6 ضلعی (لانه زنبوری) میسارند .

    به خاطر اینکه کربن باید 4 پیوند داشته باشد و در این ساختار هر اتم 3 پیوند انجام داده ، هر الکترون تمایل داد که وارد این خانه ی 4 ام شود .

    برای همین یک فضایی بالای اتم های کربن (برای پیوند 4 ام) به وجود می آید که الکترون خیلی سریع میتواند در آن حرکت کند.

    برای همین سرعت این ترانزیستور ها خیلی خیلی بیشتر از سرعت ترانزیستور های کنونی است.

    اگر سرچ بکنید مطالب بهتری هم در این زمینه بدست می آید.
    هر چه کنی ، به خود کنی * گر همه نیک و بد کنی

  4. 2 کاربر از پست مفید pymn_nzr سپاس کرده اند .


اطلاعات موضوع

کاربرانی که در حال مشاهده این موضوع هستند

در حال حاضر 1 کاربر در حال مشاهده این موضوع است. (0 کاربران و 1 مهمان ها)

موضوعات مشابه

  1. آموزشی: ترانزیستور چگونه کار می کند؟
    توسط BEN HOR در انجمن مقالات برق
    پاسخ ها: 0
    آخرين نوشته: 21st December 2010, 10:53 AM
  2. آموزشی: نقشه مدار چشمک زن با ترانزیستور
    توسط BEN HOR در انجمن مقالات برق
    پاسخ ها: 0
    آخرين نوشته: 19th December 2010, 09:10 PM
  3. آموزشی: نام گذاری (کد گذاری) ترانزیستورها
    توسط BEN HOR در انجمن مقالات برق
    پاسخ ها: 0
    آخرين نوشته: 13th December 2010, 07:24 PM
  4. پاسخ ها: 0
    آخرين نوشته: 8th July 2010, 10:53 AM
  5. هشدار دهنده ترانزیستوری چند منطقه ای
    توسط hengameh در انجمن مدارها و پروژه ها
    پاسخ ها: 0
    آخرين نوشته: 13th May 2010, 05:14 PM

کلمات کلیدی این موضوع

مجوز های ارسال و ویرایش

  • شما نمیتوانید موضوع جدیدی ارسال کنید
  • شما امکان ارسال پاسخ را ندارید
  • شما نمیتوانید فایل پیوست کنید.
  • شما نمیتوانید پست های خود را ویرایش کنید
  •