Rez@ee
25th March 2011, 09:31 AM
نمونه های تک فاز چند بلوریBa۲Cu۳O۷-d Prx Gd۱-x با استوکیومتری ۰.۱۵، ۰.۱۰، ۰.۰۵=X با روش استاندارد واکنش حالت جامد، ساخته و با انجام آزمایشهای XRD و SEM مشخصه یابی شدند.
نمونه های تک فاز چند بلوریBa۲Cu۳O۷-d Prx Gd۱-x با استوکیومتری ۰.۱۵، ۰.۱۰، ۰.۰۵=X با روش استاندارد واکنش حالت جامد، ساخته و با انجام آزمایشهای XRD و SEM مشخصه یابی شدند. اندازه گیریهای مقاومت ویژه، اثر هال و مقاومت مغناطیسی بر روی این نمونه ها انجام شد. نتایج اندازه گیری مقاومت ویژه نشان می دهد که هر سه ترکیب ساخته شده دارای گذار ابررسانایی می باشند. دما و پهنای گذار این نمونه ها با افزایش مقدار آلایش Pr در ترکیب به ترتیب کاهش و افزایش می یابند. اندازه گیری اثر هال این نمونه ها، یک رفتار ناهنجار دمایی در ضریب هال را نشان می دهد. در نمونه O۷-d Cu۳ Ba۲ Pr۰.۱۰ Gd۰.۹۰یک تغییر علامت ضریب هال نسبت به دما دیده شده است. اندازه گیری مقاومت مغناطیسی این نمونه ها در بازه ۰ تا kOe ۱۰نشان می دهد که تغییرات مقاومت ویژه در حالت بهنجار (T>Tc) با افزایش میدان مغناطیسی کوچک، اما در حالت مخلوط، بزرگ است.
مشاهده شده است که با افزایش میدان، پهنای گذار بار رسانایی افزایش می یابد و یک رفتار توانی از H را نشان می دهد. همچنین از این آزمایشها، رفتار دمایی HC۲(T) در نمونه ها به دست آمده است. از نحوه پهن شدگی گذار، انرژی میخکوبی و وابستگی آن به میدان مغناطیسی محاسبه شده است. نتایج نشان می دهد که انرژی میخکوبی با افزایش میدان مغناطیسی و ناخالصی Pr در نمونه کاهش می یابد.
نمونه های تک فاز چند بلوریBa۲Cu۳O۷-d Prx Gd۱-x با استوکیومتری ۰.۱۵، ۰.۱۰، ۰.۰۵=X با روش استاندارد واکنش حالت جامد، ساخته و با انجام آزمایشهای XRD و SEM مشخصه یابی شدند. اندازه گیریهای مقاومت ویژه، اثر هال و مقاومت مغناطیسی بر روی این نمونه ها انجام شد. نتایج اندازه گیری مقاومت ویژه نشان می دهد که هر سه ترکیب ساخته شده دارای گذار ابررسانایی می باشند. دما و پهنای گذار این نمونه ها با افزایش مقدار آلایش Pr در ترکیب به ترتیب کاهش و افزایش می یابند. اندازه گیری اثر هال این نمونه ها، یک رفتار ناهنجار دمایی در ضریب هال را نشان می دهد. در نمونه O۷-d Cu۳ Ba۲ Pr۰.۱۰ Gd۰.۹۰یک تغییر علامت ضریب هال نسبت به دما دیده شده است. اندازه گیری مقاومت مغناطیسی این نمونه ها در بازه ۰ تا kOe ۱۰نشان می دهد که تغییرات مقاومت ویژه در حالت بهنجار (T>Tc) با افزایش میدان مغناطیسی کوچک، اما در حالت مخلوط، بزرگ است.
مشاهده شده است که با افزایش میدان، پهنای گذار بار رسانایی افزایش می یابد و یک رفتار توانی از H را نشان می دهد. همچنین از این آزمایشها، رفتار دمایی HC۲(T) در نمونه ها به دست آمده است. از نحوه پهن شدگی گذار، انرژی میخکوبی و وابستگی آن به میدان مغناطیسی محاسبه شده است. نتایج نشان می دهد که انرژی میخکوبی با افزایش میدان مغناطیسی و ناخالصی Pr در نمونه کاهش می یابد.