hengameh
26th April 2010, 07:20 PM
گرافن با ساختار شش‌گوشه‌ای خود ـ که بسیار شبیه فنس‌های فلزی‌ای است که اطراف باغچه‌ها می‌کشند ـ دارای هدایت الکترونی بسیار بالایی است؛ به طوری که سرعت حرکت الکترون در آن یک سیصدم سرعت نور میباشد. این ویژگی باعث شده تا این ماده گزینه‌ی مناسبی برای استفاده در کامپیوترهای خیلی سریع به شمار رود.
به گزارش سرویس علم و فن آوری پایگاه اطلاع رسانی صبا به نقل از نانو محققان مرکز نور و الکترونیک دانشگاه Penn State، با استفاده از روش تصعید سیلیکونی قطعات و مواد گرافنی ساخته‌اند. آنها ویفرهای کاربید سیلیکون را در کوره‌ای با دمای بسیار بالا حرارت دادند تاسیلیکون‌ها از سطح آن به‌سمت داخل ویفر مهاجرت کنند و در نهایت لایه‌تی به ضخامت یک یا دو اتم کربن باقی بماند که همانا گرافن است. این ویفر 100 میلی‌متر ضخامت دارد که ضخیم‌ترین ویفر تجاری کاربید سیلیکون است. ضخیم‌ترین ویفری که پیش از این ساخته شده بود، 50 میلی‌متر ضخامت داشت.
به گفته‌ی یکی از محققان مرکز نور و الکترونیک، هم‌اکنون دانشگاه Penn State به تولید «ترانزیستورهای اثر میدان» روی ویفر گرافنی 100 میلی‌متری پرداخته‌است که در اوایل سال 2010 عملکرد آنها بررسی خواهد شد. یکی از اهداف این گروه تحقیقاتی افزایش سرعت حرکت الکترون در ویفرهای کاربید سیلیکون است به طوری که این سرعت به 100 برابر سرعت سیلیکون برسد. برای این منظور لازم است کیفیت مواد بهبود یابد اما از آنجا که این فناوری جدید است باید بر روی بهبود آن مطالعات بیشتری انجام شود.
این گروه تحقیقاتی در تلاش است تا با توسعه‌ی این روش بتواند ویفرهای 200 میلی‌متری تولید کند.
به گزارش سرویس علم و فن آوری پایگاه اطلاع رسانی صبا به نقل از نانو محققان مرکز نور و الکترونیک دانشگاه Penn State، با استفاده از روش تصعید سیلیکونی قطعات و مواد گرافنی ساخته‌اند. آنها ویفرهای کاربید سیلیکون را در کوره‌ای با دمای بسیار بالا حرارت دادند تاسیلیکون‌ها از سطح آن به‌سمت داخل ویفر مهاجرت کنند و در نهایت لایه‌تی به ضخامت یک یا دو اتم کربن باقی بماند که همانا گرافن است. این ویفر 100 میلی‌متر ضخامت دارد که ضخیم‌ترین ویفر تجاری کاربید سیلیکون است. ضخیم‌ترین ویفری که پیش از این ساخته شده بود، 50 میلی‌متر ضخامت داشت.
به گفته‌ی یکی از محققان مرکز نور و الکترونیک، هم‌اکنون دانشگاه Penn State به تولید «ترانزیستورهای اثر میدان» روی ویفر گرافنی 100 میلی‌متری پرداخته‌است که در اوایل سال 2010 عملکرد آنها بررسی خواهد شد. یکی از اهداف این گروه تحقیقاتی افزایش سرعت حرکت الکترون در ویفرهای کاربید سیلیکون است به طوری که این سرعت به 100 برابر سرعت سیلیکون برسد. برای این منظور لازم است کیفیت مواد بهبود یابد اما از آنجا که این فناوری جدید است باید بر روی بهبود آن مطالعات بیشتری انجام شود.
این گروه تحقیقاتی در تلاش است تا با توسعه‌ی این روش بتواند ویفرهای 200 میلی‌متری تولید کند.