hengameh
17th April 2010, 03:17 PM
به گزارش سرویس علم و فن آوری پایگاه اطلاع رسانی صبا به نقل از نانو با استفاده از یک ماده اسپینشده روی شیشه، به نام sog و قرار دادن آن بر روی گرافن و پس از آن تابش پرتوهای الکترونی، محققان مؤسسهی فناوری جرجیا موفق به ساخت نیمههادی‌های نوع n و p در یک مرحله شدند.
آنها با تغییر شدت پرتوی الکترونی، نوع دوپینگ را تعیین می‌کنند؛ به طوری که تابش پرتو با انرژی بالا منجر به پدید آمدن سطوح نوع p و تابش با انرژی پایین منجر به ساخت سطوح نوع n میشود. با این روش می‌توان سطوح وسیعی را در یک مرحله دوپینگ کرد. پیش از این برای دوپینگ گرافن از فرایندهای مختلفی نظیر غوطه‌وری در محلول‌های مختلف و همجواری با گازها استفاده می‌شدهاست. این روش جدید موجب شد که تنها در یک مرحله بتوان دوپینگ گرافن را انجام داد.
برای ساخت گرافن نوع p، اتم‌های نیتروژن و اکسیژن را به درون شبکهی گرافن وارد می‌کنند. با تابش پرتوهای پرانرژی الکترونی، برخی از پیوندهای موجود در sog شکسته شده و کل ساختار تبدیل به یک شبکه میشود. طی این فرایند تعدادی از اتم‌های هیدروژن از مجموعه خارج میشود؛ در حالی که اتم‌های اکسیژن در ساختار حضور دارند و نتیجهی این فرایند دوپینگ نوع p خواهد بود.
برای تولید انبوه می‌توان به جای تابش الکترونی از فرایندهای لیتوگرافی مرسوم استفاده کرد و برای کنترل شدت تابش، برای تعیین نوع n یا p بودن محصول، از ماسک‌های انعکاسدهنده یا عبوری بهره جست.
آنها با تغییر شدت پرتوی الکترونی، نوع دوپینگ را تعیین می‌کنند؛ به طوری که تابش پرتو با انرژی بالا منجر به پدید آمدن سطوح نوع p و تابش با انرژی پایین منجر به ساخت سطوح نوع n میشود. با این روش می‌توان سطوح وسیعی را در یک مرحله دوپینگ کرد. پیش از این برای دوپینگ گرافن از فرایندهای مختلفی نظیر غوطه‌وری در محلول‌های مختلف و همجواری با گازها استفاده می‌شدهاست. این روش جدید موجب شد که تنها در یک مرحله بتوان دوپینگ گرافن را انجام داد.
برای ساخت گرافن نوع p، اتم‌های نیتروژن و اکسیژن را به درون شبکهی گرافن وارد می‌کنند. با تابش پرتوهای پرانرژی الکترونی، برخی از پیوندهای موجود در sog شکسته شده و کل ساختار تبدیل به یک شبکه میشود. طی این فرایند تعدادی از اتم‌های هیدروژن از مجموعه خارج میشود؛ در حالی که اتم‌های اکسیژن در ساختار حضور دارند و نتیجهی این فرایند دوپینگ نوع p خواهد بود.
برای تولید انبوه می‌توان به جای تابش الکترونی از فرایندهای لیتوگرافی مرسوم استفاده کرد و برای کنترل شدت تابش، برای تعیین نوع n یا p بودن محصول، از ماسک‌های انعکاسدهنده یا عبوری بهره جست.