*مینا*
19th November 2009, 01:38 AM
محققان ايراني با همکاري پژوهشگران دانمارکي، طي پژوهشي توانستند با استفاده از تجزيه مولکول‌هاي بي‌اثر در رشد زير لايه سيليسيومي در نانوترانزيستورهاي آتي، مشکل بزرگ ناشي از کوچک‌شدن اين ترانزيستورها را حل نمايند.
علي بهاري پنبه چوله در گفتگو با بخش خبري سايت ستاد ويژه توسعه فناوري نانو گفت: «برخلاف روش‌هايي که تا به حال براي رشد نيتريد سيليسيوم با استفاده از گازهاي NH3 وN2O و NO وجود داشت، در پژوهش حاضر فيلم نيتريد سيليسيوم فرا نازک کمتر از 1 نانومتر، بر زير لايه سيليسيومي با تجزيه مولکول‌هاي بي‌اثر N2 به اتم‌هاي N رشد داده شده‌است. گفتني‌است که اين فرايند مشکلات ناشي از مصرف گازهاي قبلي را ندارد».
عضو هيئت علمي دانشگاه مازندران، هدف از انجام اين پژوهش را «يافتن يک گيت دي‌الکتريک به همراه زيرلايه و الکترودهاي مناسب در نانوترانزيستورهاي آتي» بيان کرد و افزود: «اين نوآوري مي‌تواند مشکل بزرگ ناشي از کوچک‌شدگي تراشه‌هاي الکترونيکي، اپتوالکترونيکي، ذخيره‌سازهاي اطلاعات در قطعات نانومقياسي حافظه‌ها و به‌طور کلي نانوالکترونيک را حل نمايد».
شايان ذکر است که امکان استفاده از گيت دي‌الکتريک اکسيد سيليسيوم فرانازک در توليدات آتي نانوترانزيستورها وجود ندارد. لذا در پژوهش حاضر، نيتريد سيليسيوم به‌عنوان يک گيت دي‌الکتريک براي نانوترانزيستورهاي آتي پيشنهاد شده که نتايج استفاده از اين گيت، حاکي از ويژگي‌هاي منحصر به فرد اين ماده نسبت به گيت دي‌الکتريک اکسيد سيليسيوم است. جزئيات اين تحقيق که با همکاري علي بهاري پنبه چوله و پروفسور غوبان، پروفسور الشهميري، پروفسور رائو، پروفسور مورگن ولي انجام شده، در مجله Surface Science (جلد602، صفحات2324–2315، سال2008) منتشر شده است.
ستاد ويژه توسعه فناوري‌نانو http://nano.ir/infobeta/article_issn_info.php?id=3070
علي بهاري پنبه چوله در گفتگو با بخش خبري سايت ستاد ويژه توسعه فناوري نانو گفت: «برخلاف روش‌هايي که تا به حال براي رشد نيتريد سيليسيوم با استفاده از گازهاي NH3 وN2O و NO وجود داشت، در پژوهش حاضر فيلم نيتريد سيليسيوم فرا نازک کمتر از 1 نانومتر، بر زير لايه سيليسيومي با تجزيه مولکول‌هاي بي‌اثر N2 به اتم‌هاي N رشد داده شده‌است. گفتني‌است که اين فرايند مشکلات ناشي از مصرف گازهاي قبلي را ندارد».
عضو هيئت علمي دانشگاه مازندران، هدف از انجام اين پژوهش را «يافتن يک گيت دي‌الکتريک به همراه زيرلايه و الکترودهاي مناسب در نانوترانزيستورهاي آتي» بيان کرد و افزود: «اين نوآوري مي‌تواند مشکل بزرگ ناشي از کوچک‌شدگي تراشه‌هاي الکترونيکي، اپتوالکترونيکي، ذخيره‌سازهاي اطلاعات در قطعات نانومقياسي حافظه‌ها و به‌طور کلي نانوالکترونيک را حل نمايد».
شايان ذکر است که امکان استفاده از گيت دي‌الکتريک اکسيد سيليسيوم فرانازک در توليدات آتي نانوترانزيستورها وجود ندارد. لذا در پژوهش حاضر، نيتريد سيليسيوم به‌عنوان يک گيت دي‌الکتريک براي نانوترانزيستورهاي آتي پيشنهاد شده که نتايج استفاده از اين گيت، حاکي از ويژگي‌هاي منحصر به فرد اين ماده نسبت به گيت دي‌الکتريک اکسيد سيليسيوم است. جزئيات اين تحقيق که با همکاري علي بهاري پنبه چوله و پروفسور غوبان، پروفسور الشهميري، پروفسور رائو، پروفسور مورگن ولي انجام شده، در مجله Surface Science (جلد602، صفحات2324–2315، سال2008) منتشر شده است.
ستاد ويژه توسعه فناوري‌نانو http://nano.ir/infobeta/article_issn_info.php?id=3070