آبجی
13th October 2009, 04:49 PM
http://www.aftab.ir/news/2009/oct/12/images/8e650840bd6b5cc2f668ad458495da66.jpg
پژوهشگران دانشگاه تهران ، راهكاری برای ساخت هارددیسك‌ها و سخت‌افزارهای ذخیره اطلاعات با خواص مغناطیسی مطلوب ارائه كردند.
به گزارش فارس ، سامان سالمی‌زاده كه از جمله این پژوهشگران است ، گفت: از لایه‌های نازك مغناطیسی، می‌توان برای ذخیره اطلاعات، جذب امواج میكروویو و سنسور ابزارهای نانومتری استفاده كرد.
از این میان، لایه نازك هگزافریت باریم با فرمول شیمیایی BaFe۱۲O۱۹ است كه یك ماده مغناطیسی سخت بوده و مهمترین كاربرد آن در لایه‌های نازك به عنوان محیط ذخیره اطلاعات با دانسیته ذخیره اطلاعات بالاست.
سالمی‌زاده و همكارانش موفق به تهیه لایه‌های نازك مغناطیسی هگزافریت باریم نانوساختار به روش سل ژل، با خواص مغناطیسی مناسب برای پوشش‌دهی زیرلایه‌ها شده‌اند.
در این پژوهش، میزان pH سل، نوع حلال و عامل بازی سل، نسبت مولی Fe/Ba سل، دمای كلسیناسیون لایه نازك و اثر لایه میانی Al۲O۳ به عنوان پارامترهای موثر در به دست آمدن لایه نازك هگزافریت باریم نانوساختار و تك‌فاز بررسی شده است. همچنین برای بهبود خواص مغناطیسی لایه نازك در جهت عمود بر سطح، از لایه میانی Al۲O۳ استفاده شده است.
لایه نازك نانوساختار و تك‌فاز هگزافریت باریم تولیدی دارای ضخامت ۱۵۲ نانومتر و اندازه دانه حدود ۲۰ نانومتر است و خواص مغناطیسی بهتری در مقایسه با سایر تحقیقات مشابه داشته كه این برتری به دلیل ساختار نانومتری این ماده است.
نتایج این كار می‌تواند در تولید سخت‌افزارهای ذخیره اطلاعات (مانند هارد دیسك) با خواص مغناطیسی مطلوب‌تر استفاده شود.
جزئیات این پژوهش كه با همكاری سیدعلی سیدابراهیمی انجام شده، در مجله Journal of Non-Crystalline Solids (جلد ۳۵۵، صفحات۹۸۵–۹۸۲، سال ۲۰۰۹) منتشر شده است.
پژوهشگران دانشگاه تهران ، راهكاری برای ساخت هارددیسك‌ها و سخت‌افزارهای ذخیره اطلاعات با خواص مغناطیسی مطلوب ارائه كردند.
به گزارش فارس ، سامان سالمی‌زاده كه از جمله این پژوهشگران است ، گفت: از لایه‌های نازك مغناطیسی، می‌توان برای ذخیره اطلاعات، جذب امواج میكروویو و سنسور ابزارهای نانومتری استفاده كرد.
از این میان، لایه نازك هگزافریت باریم با فرمول شیمیایی BaFe۱۲O۱۹ است كه یك ماده مغناطیسی سخت بوده و مهمترین كاربرد آن در لایه‌های نازك به عنوان محیط ذخیره اطلاعات با دانسیته ذخیره اطلاعات بالاست.
سالمی‌زاده و همكارانش موفق به تهیه لایه‌های نازك مغناطیسی هگزافریت باریم نانوساختار به روش سل ژل، با خواص مغناطیسی مناسب برای پوشش‌دهی زیرلایه‌ها شده‌اند.
در این پژوهش، میزان pH سل، نوع حلال و عامل بازی سل، نسبت مولی Fe/Ba سل، دمای كلسیناسیون لایه نازك و اثر لایه میانی Al۲O۳ به عنوان پارامترهای موثر در به دست آمدن لایه نازك هگزافریت باریم نانوساختار و تك‌فاز بررسی شده است. همچنین برای بهبود خواص مغناطیسی لایه نازك در جهت عمود بر سطح، از لایه میانی Al۲O۳ استفاده شده است.
لایه نازك نانوساختار و تك‌فاز هگزافریت باریم تولیدی دارای ضخامت ۱۵۲ نانومتر و اندازه دانه حدود ۲۰ نانومتر است و خواص مغناطیسی بهتری در مقایسه با سایر تحقیقات مشابه داشته كه این برتری به دلیل ساختار نانومتری این ماده است.
نتایج این كار می‌تواند در تولید سخت‌افزارهای ذخیره اطلاعات (مانند هارد دیسك) با خواص مغناطیسی مطلوب‌تر استفاده شود.
جزئیات این پژوهش كه با همكاری سیدعلی سیدابراهیمی انجام شده، در مجله Journal of Non-Crystalline Solids (جلد ۳۵۵، صفحات۹۸۵–۹۸۲، سال ۲۰۰۹) منتشر شده است.