PDA

توجه ! این یک نسخه آرشیو شده میباشد و در این حالت شما عکسی را مشاهده نمیکنید برای مشاهده کامل متن و عکسها بر روی لینک مقابل کلیک کنید : توليد حافظه‌هاي ضامن‌دار کامپيوتري



yasaman hedayati
4th September 2012, 01:07 AM
محققان هلندي دانشگاه صنعتي آيندهوون و بنياد FOM موفق شدند حافظه ضامن‌دار داراي دامنه مغناطيسي بسازند، اين حافظه کامپيوتري با استفاده از حرکت بيت‌هايي در منطقه مغناطيسي شده ايجاد مي‌شود.


به گزارش سرويس فناوري ايسنا، از اين حافظه‌ها مي‌توان در حوزه‌هاي مختلف استفاده کرد و نسبت به حافظه‌هاي رايج داراي مزايايي هستند، براي مثال سرعت آنها بالا بوده، مصرف انرژي کمتري داشته و طول عمر زيادتري دارند.

اين گروه تحقيقاتي با استفاده از بسته‌هاي يوني غليظ، سيم‌هاي مغناطيسي را تحت تاثير قرار داده تا بيت‌ها از ميان آن به حرکت در آيند. محققان موفق شدند اين بيت‌ها را در مقياس نانو کنترل کرده و در نهايت حافظه‌هاي جديدي بسازند.
http://media.isna.ir/content/e27dfdbceb.jpg/6




اين بيت‌ها در يک نانوسيم مي‌تواند به شکلي تصور شود که قابليت دو جهت‌گيري مغناطيسي مختلف صفر و يک داشته باشد. معمولا همه بيت‌ها در حين توليد به‌ صورت خودبه‌خودي يکي از دو گزينه صفر و يک را دارند؛ اين جهت‌گيري همانند جهت‌گيري سوزن قطب‌نما است.


اين گروه تحقيقاتي نشان داد که بيت‌ها مي‌توانند بدون از دست دادن اطلاعات خود، انتقال يابند. اين نوع انتقال اطلاعات به‌ طور کلي با انتقال اطلاعات در کامپيوترها متفاوت است، در کامپيوترهاي معمولي حرکت هاردديسک موجب انتقال داده‌ها مي‌شود.

با توجه به اين نکته که يون‌ها چگونه در نانوسيم‌ها حرکت مي‌کنند، مي‌توان پروفايل انرژي به شکل دندانه اره ايجاد کرد. نامتقارن بودن اين دندانه‌ها بسيار حياتي است. با اين کار يک ديوار دامنه که مرز ميان بيت‌هاست، مي‌تواند تحت يک ميدان مغناطيسي متغير در يک جهت حرکت کند. با توجه به اين که مي‌توان ميدان مغناطيسي اعمال شده روي ديوار دامنه را تغيير داد، بنابراين امکان معکوس کردن جهت حرکت وجود دارد. در نتيجه بيت مي‌تواند ابتدا در يک جهت حرکت کرده و سپس به‌ صورت کنترل شده دوباره در خلاف همان جهت بازگردد. اين نوع انتقال برگشت پذير بيت‌ها در ديواره دامنه بدون وجود ساختار دندانه‌اي شکل غيرممکن است.

محققان از اين سيستم بهره گرفتند و توانستند ديواره دامنه را بچرخانند و بيت‌ها را نگه‌ دارند. اين کشف فرصت‌هاي منحصر بفردي را براي تغيير مفهوم حافظه ايجاد مي‌کند. پس از انجام تست‌هاي آزمايشگاهي، محققان روي ساخت نسل جديدي از حافظه‌ها کار خواهند کرد. اين کار مبتني بر استفاده از مفاهيم جديدي نظير جريان اسپيني توليد شده در لايه‌هاي غيرمغناطيسي است.

نتايج اين تحقيق در نشريه «Nature Nanotechnology» به چاپ رسيده است.

استفاده از تمامی مطالب سایت تنها با ذکر منبع آن به نام سایت علمی نخبگان جوان و ذکر آدرس سایت مجاز است

استفاده از نام و برند نخبگان جوان به هر نحو توسط سایر سایت ها ممنوع بوده و پیگرد قانونی دارد