مسافر007
18th March 2012, 07:08 PM
پژوهشگران هلندی روش جدیدی برای ایجاد خاصیت مغناطیسی در مواد غیرمغناطیسی ارائه کردند. آنها از یون‌های کبالت و روی برای این کار استفاده کردند. تغییر نسبت این مواد در محصول نهایی موجب تغییر خواص مغناطیسی محصول می‌شود. یکی از مزیت‌های این روش آن است که میزان مغناطیسی شدن محصول نهایی کاملا قابل کنترل است.
محققان دانشگاه تونتی با همکاری پژوهشگران موسسه تحقیقاتی mira روشی با کنترل بالا برای ترکیب عناصر مغناطیسی با مواد غیرمغناطیسی یافتند. با این روش می‌توان رفتارهای الکتریکی فلزات را تغییر داد و حتی می‌توان به مواد نیمه‌هادی خاصیت مغناطیسی اعطا کرد.
محققان این پروژه توانستند عناصر مغناطیسی را درون لایه‌های غیرمغناطیسی طلا قرار دهند آنها این کار را با کنترل بسیار بالا انجام دادند. برای این کار آنها لایه‌های طلا را با استفاده از یک لایه مولکول آلی پوشش دادند، هر یک از این مولکول‌ها دارای یک یون فلزی هستند. برخی دارای یون کبالت و برخی حاوی یون روی هستند. یون‌های کبالت دارای اسپین الکترونی جفت نشده بوده بنابراین از خاصیت مغناطیسی برخوردار است در حالی که یون روی فاقد خواص مغناطیسی میباشد. با تنظیم غلظت یون‌های روی و کبالت می‌توان خواص مغناطیسی را در محصول نهایی کنترل کرد. خودآرایی مولکولی موجب می‌شود تا ترکیب فلزی به‌صورت یکنواخت در سطح لایه طلا پخش شود.
چیزی که موجب می‌شود این روش منحصر به‌فرد شود آن است که با استفاده از آن می‌توان غلظت مواد مغناطیسی تقویت کننده را افزایش داد بدون این که این مواد به‌هم چسبیده و موجب خوشه‌ای شدن آن شود. در روش‌هایی که پیش از این برای مغناطیسی کردن مواد به‌کار گرفته می‌شد توزیع یکنواخت ماده مغناطیسی درون ماده اصلی بسیار دشوار بوده است به‌خصوص زمانی که غلظت آن افزایش می‌یافت.
با استفاده از این روش که در دانشگاه تونتی ارائه شده است، می‌توان موادی با ویژگی‌های کاملا جدید تولید کرد. این کار مسیر تولید نیمه‌هادی‌هایی با خواص مغناطیسی را هموار می‌کند. این موضوع یکی از شاهکارهای علم فیزیک است، نیمه‌هادی‌هایی این چنینی می‌تواند در ذخیره‌سازی اطلاعات و پردازش داده در نسل جدید کامپیوترها مورد استفاده قرار گیرد.
منبع: ستاد توسعه فناوری نانو
محققان دانشگاه تونتی با همکاری پژوهشگران موسسه تحقیقاتی mira روشی با کنترل بالا برای ترکیب عناصر مغناطیسی با مواد غیرمغناطیسی یافتند. با این روش می‌توان رفتارهای الکتریکی فلزات را تغییر داد و حتی می‌توان به مواد نیمه‌هادی خاصیت مغناطیسی اعطا کرد.
محققان این پروژه توانستند عناصر مغناطیسی را درون لایه‌های غیرمغناطیسی طلا قرار دهند آنها این کار را با کنترل بسیار بالا انجام دادند. برای این کار آنها لایه‌های طلا را با استفاده از یک لایه مولکول آلی پوشش دادند، هر یک از این مولکول‌ها دارای یک یون فلزی هستند. برخی دارای یون کبالت و برخی حاوی یون روی هستند. یون‌های کبالت دارای اسپین الکترونی جفت نشده بوده بنابراین از خاصیت مغناطیسی برخوردار است در حالی که یون روی فاقد خواص مغناطیسی میباشد. با تنظیم غلظت یون‌های روی و کبالت می‌توان خواص مغناطیسی را در محصول نهایی کنترل کرد. خودآرایی مولکولی موجب می‌شود تا ترکیب فلزی به‌صورت یکنواخت در سطح لایه طلا پخش شود.
چیزی که موجب می‌شود این روش منحصر به‌فرد شود آن است که با استفاده از آن می‌توان غلظت مواد مغناطیسی تقویت کننده را افزایش داد بدون این که این مواد به‌هم چسبیده و موجب خوشه‌ای شدن آن شود. در روش‌هایی که پیش از این برای مغناطیسی کردن مواد به‌کار گرفته می‌شد توزیع یکنواخت ماده مغناطیسی درون ماده اصلی بسیار دشوار بوده است به‌خصوص زمانی که غلظت آن افزایش می‌یافت.
با استفاده از این روش که در دانشگاه تونتی ارائه شده است، می‌توان موادی با ویژگی‌های کاملا جدید تولید کرد. این کار مسیر تولید نیمه‌هادی‌هایی با خواص مغناطیسی را هموار می‌کند. این موضوع یکی از شاهکارهای علم فیزیک است، نیمه‌هادی‌هایی این چنینی می‌تواند در ذخیره‌سازی اطلاعات و پردازش داده در نسل جدید کامپیوترها مورد استفاده قرار گیرد.
منبع: ستاد توسعه فناوری نانو